г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF150R12YT3BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
FF150R12YT3BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER EASY, IGBT Module
Цена
6 815 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-FF150R12YT3BOMA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB110P06LMATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3, P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRG4PC50U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPI07N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BSC117N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON, N-Channel 80 V 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: BUP213
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 32A 200W TO220, IGBT - 1200 V 32 A 200 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRF2804S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее