г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF300R12KT4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF300R12KT4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 450A 1600W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 450 A 1600 W Chassis Mount Module
Цена
28 767 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF300R12KT4HOSA1.jpg
Base Product Number
FF300R12
Other Names
FF300R12KT4,SP000370607,2156-FF300R12KT4HOSA1,INFINFFF300R12KT4HOSA1,FF300R12KT4-ND
Configuration
Half Bridge
Power - Max
1600 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
450 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
C
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
19 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF2807ZSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK, N-Channel 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPA60R280E6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V 0.28OHM N-CHANNEL MOSFET, Mosfet Array
Подробнее
Артикул: IRAMS06UP60B-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR MOD PLUG-N-DRIVE 600V 6A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IPD65R660CFDBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPN70R450P7SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223, N-Channel 700 V 10A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: AIDW30S65C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее