г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF300R12KT4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF300R12KT4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 450A 1600W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 450 A 1600 W Chassis Mount Module
Цена
28 767 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF300R12KT4HOSA1.jpg
Base Product Number
FF300R12
Other Names
FF300R12KT4,SP000370607,2156-FF300R12KT4HOSA1,INFINFFF300R12KT4HOSA1,FF300R12KT4-ND
Configuration
Half Bridge
Power - Max
1600 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
450 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
C
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
19 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP111N15N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3, N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPD220N06L3GBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3, N-Channel 60 V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: ITS4100S-SJ-N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL VERTICAL POWER FET,
Подробнее
Артикул: IRGP4062D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO247AD, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRGB30B60K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFR120NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK, N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее