г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF450R12KT4HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF450R12KT4HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 580A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 450 A 2400 W Chassis Mount Module
Цена
37 996 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF450R12KT4HOSA1.jpg
Base Product Number
FF450R12
Other Names
FF450R12KT4-ND,FF450R12KT4,SP000370613
Configuration
Half Bridge
Power - Max
2400 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
450 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 450A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
C
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
28 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FZ3600R12HP4HOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 4930A, IGBT Module Trench Single Switch 1200 V 4930 A 19000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFZ48NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK, N-Channel 55 V 64A (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SPD06N80C3ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3, N-Channel 800 V 6A (Ta) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BCR583
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF7343PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF3805STRL-7PP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK, N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее