г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FP25R12KT3BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FP25R12KT3BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 40A 155W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 40 A 155 W Chassis Mount Module
Цена
15 369 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FP25R12KT3BOSA1.jpg
Other Names
FP25R12KT3,SP000100446,2156-FP25R12KT3BOSA1,FP25R12KT3-ND,INFINFFP25R12KT3BOSA1
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
155 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Base Product Number
FP25R12
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
1.8 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BF 2040 E6814
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF N-CHANNEL MOSFET, RF Mosfet
Подробнее
Артикул: IRGP4740DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-247, IGBT - 650 V 60 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: AUIRF1405ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK, N-Channel 55 V 150A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRLZ44ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IGOT60R070D1AUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO, N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-DSO-20-87
Подробнее
Артикул: IGW50N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее