г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FP75R12KT4B15BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FP75R12KT4B15BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 75A 385W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 75 A 385 W Chassis Mount Module
Цена
32 405 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FP75R12KT4B15BOSA1.jpg
Other Names
FP75R12KT4_B15-ND,SP000408728,FP75R12KT4_B15
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
385 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Base Product Number
FP75R12
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
4.3 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IHW30N120R2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 60A 390W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 60 A 390 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IDH05G120C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: IRFZ44ESTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF5851TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: IRF9952TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BC849CW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее