г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS200R12PT4 Infineon Technologies

Артикул
FS200R12PT4
Бренд
Infineon Technologies
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Цена
32 970 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
INFINFFS200R12PT4,2156-FS200R12PT4
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLR014NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK, N-Channel 55 V 10A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 50 A 180 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BAS116E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3, Diode Standard 80 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60A-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRF3710ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB, N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLR8256PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 81A DPAK, N-Channel 25 V 81A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее

Ваша заявка принята