г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS200R12PT4 Infineon Technologies

Артикул
FS200R12PT4
Бренд
Infineon Technologies
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Цена
32 970 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
INFINFFS200R12PT4,2156-FS200R12PT4
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP08P06PHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3, P-Channel 60 V 8.8A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRLR8726TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK, N-Channel 30 V 86A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: FS225R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 325A 1150W, IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 325 A 1150 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFI530N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP, N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRFS4310TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IDH06S60CAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее

Ваша заявка принята