г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH50U-EP Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH50U-EP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V ULTRA FAST TO247, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole PG-TO247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG7PH50U-EP.jpg
IGBT Type
Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
140 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
Power - Max
556 W
Switching Energy
4.6mJ (on), 3.2mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
440 nC
Td (on/off) @ 25°C
35ns/430ns
Supplier Device Package
PG-TO247AD
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001537500
Standard Package
1
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Test Condition
600V, 50A, 5Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFHS9351TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.4W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: SPS01N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3, N-Channel 650 V 800mA (Tc) 11W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Подробнее
Артикул: IRFZ44ZSTRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IKW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: SPW47N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3, N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BAT165
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAT165 - RECTIFIER DIODE, SCHOTT, Diode Schottky 40 V 750mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее