г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS20R06VE3B2BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
FS20R06VE3B2BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 600V 25A 71.5W, IGBT Module - Three Phase Inverter 600 V 25 A 71.5 W Chassis Mount Module
Цена
3 820 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FS20R06VE3B2BOMA1.jpg
Base Product Number
FS20R06
Other Names
FS20R06VE3_B2,SP000100313
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
71.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 20A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
40
Series
EasyPACK™
Package
Tray
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
1.14 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7380TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCR141E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IFS150B12N3E4PB11BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 300A 750W, IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 300 A 750 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFP054NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC, N-Channel 55 V 81A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IHW30N110R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3, IGBT Trench 1100 V 60 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPB010N06NATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7, N-Channel 60 V 45A (Ta), 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее