г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS25R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FS25R12KE3GBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
FS25R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Цена
8 879 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-FS25R12KE3GBOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFL4105PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223, N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: BAT15-099R
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MIXER DIODE, LOW BARRIER, X BAND, RF Diode
Подробнее
Артикул: IRF6216PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 55A 210W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 55 A 210 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF2807PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB, N-Channel 75 V 82A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSP149H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4, N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее

Ваша заявка принята