г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS25R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FS25R12KE3GBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
FS25R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Цена
8 879 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-FS25R12KE3GBOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAR6404WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 100 mA 250 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: IPA60R280E6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V 0.28OHM N-CHANNEL MOSFET, Mosfet Array
Подробнее
Артикул: IRLR7807ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK, N-Channel 30 V 43A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFB4020PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPP80N06S2-H5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IKW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее