г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS25R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FS25R12KE3GBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
FS25R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Цена
8 879 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-FS25R12KE3GBOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL1004SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK, N-Channel 40 V 130A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFB4410ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 55A 210W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 55 A 210 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IDH06G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: BSZ215CHXTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRFH4255DTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 105A 31W, 38W Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее

Ваша заявка принята