г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS35R12KT3BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FS35R12KT3BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
FS35R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Цена
9 578 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-FS35R12KT3BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSZ160N10NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON, N-Channel 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRGP6660DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 95A 330W TO247AC, IGBT - 600 V 95 A 330 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPL60R060CFD7AUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH, N-Channel 40A (Tc) - - -
Подробнее
Артикул: IRF7324PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFH8318TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN, N-Channel 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRFU3711
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее

Ваша заявка принята