г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUS300N08S5N012TATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IAUS300N08S5N012TATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET_(75V 120V(, N-Channel 80 V 300A (Tj) 375W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2
Цена
1 340 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUS300N08S5N012TATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
231 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16250 pF @ 40 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-HDSOP-16-2
Standard Package
1,800
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
16-SOP (0.398", 10.10mm Width) Exposed Pad
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-IAUS300N08S5N012TATMA1TR,SP002952344,448-IAUS300N08S5N012TATMA1DKR,448-IAUS300N08S5N012TATMA1CT
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP126N10N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRG4PH40UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPI075N15N3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPW60R190E6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSC670N25NSFDATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1, N-Channel 250 V 24A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRFB4019PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB, N-Channel 150 V 17A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее