г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDP30E60 Infineon Technologies

Артикул
IDP30E60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
Цена
129 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDP30E60.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IDP30E60,IFEINFIDP30E60
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPB04N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRLR3705ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF8010PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB, N-Channel 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7389PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FF400R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 580A 2000W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 580 A 2000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRL6372TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее

Ваша заявка принята