г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDP30E60 Infineon Technologies

Артикул
IDP30E60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
Цена
129 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDP30E60.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IDP30E60,IFEINFIDP30E60
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPB80P06PGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3, P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IPW90R120C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 COO, N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPW60R017C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH POWER_NEW, N-Channel 600 V 109A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRF9530NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB, P-Channel 100 V 14A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPA20N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: SPP15P10PLHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3, P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее

Ваша заявка принята