г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDP30E60 Infineon Technologies

Артикул
IDP30E60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
Цена
129 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDP30E60.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IDP30E60,IFEINFIDP30E60
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AIMW120R035M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRFU5305
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BCR555
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BAS 16U E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode Array 3 Independent Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount SC-74, SOT-457
Подробнее
Артикул: IPN80R1K4P7
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRG4PH50KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее

Ваша заявка принята