г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDP30E60 Infineon Technologies

Артикул
IDP30E60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
Цена
129 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDP30E60.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IDP30E60,IFEINFIDP30E60
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPL60R060CFD7AUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH, N-Channel 40A (Tc) - - -
Подробнее
Артикул: IRFR3706
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 75A DPAK, N-Channel 20 V 75A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BFP450
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST, RF Transistor
Подробнее
Артикул: IRFB31N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB, N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPW60R031CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3, N-Channel 650 V 63A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRG4BC40UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее

Ваша заявка принята