г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IGW40N120H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 266 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGW40N120H3FKSA1.jpg
Other Names
IGW40N120H3,IGW40N120H3-ND,SP000667510
Test Condition
600V, 40A, 12Ohm, 15V
Power - Max
483 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Switching Energy
3.16mJ
Gate Charge
185 nC
Base Product Number
IGW40N120
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
30ns/290ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3710PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB, N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FS35R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module - Full Bridge Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFR5305TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BUZ30AHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IDW20G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE 1.2KV 20A RAPID2 TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 31A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRF9Z34NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB, P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее