г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IHW30N110R3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3, IGBT Trench 1100 V 60 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
742 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IHW30N110R3FKSA1.jpg
Other Names
IHW30N110R3,SP000702510,IFEINFIHW30N110R3FKSA1,2156-IHW30N110R3FKSA1,IHW30N110R3-ND
Test Condition
600V, 30A, 15Ohm, 15V
Power - Max
333 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1100 V
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
IGBT Type
Trench
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 15V, 30A
Switching Energy
1.15mJ (off)
Gate Charge
180 nC
Base Product Number
IHW30N110
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
-/350ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 625W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 200 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLR3103
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK, N-Channel 30 V 55A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPA80R900P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 6A TO220, N-Channel 800 V 6A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: SPW35N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3, N-Channel 650 V 34.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IHW30N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 60 A 349 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFSL4615PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A TO262, N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее