г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IHW30N135R3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IHW30N135R3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1350V 60A 349W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 60 A 349 W Through Hole PG-TO247-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IHW30N135R3FKSA1.jpg
Test Condition
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Power - Max
349 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1350 V
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
IGBT Type
Trench
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 30A
Switching Energy
1.93mJ (off)
Gate Charge
263 nC
Other Names
SP000989496
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
240
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
-/337ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFP540
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST, RF Transistor
Подробнее
Артикул: IRLU2905
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: DD435N36KHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 3600V 573A, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 3600 V 573A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCW65A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: FD600R06ME3S2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 600V 600A 2250W, IGBT Module Trench Field Stop Single 600 V 600 A 2250 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: AUIRLR3705Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее