г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLL2703TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLL2703TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223, N-Channel 30 V 3.9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Цена
91 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLL2703TRPBF.jpg
Supplier Device Package
SOT-223
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001576812,IRLL2703TRPBFTR,IRLL2703TRPBFDKR,IRLL2703TRPBFCT,IFEINFIRLL2703TRPBF,IRLL2703TRPBF-ND,2156-IRLL2703TRPBF
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDH06SG60CXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: BFN26E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IPB009N03LGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7, N-Channel 30 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Подробнее
Артикул: IRLB3036PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFH5302TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN, N-Channel 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Подробнее
Артикул: IRLSL3036PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO262, N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее