г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKA15N65ET6XKSA2 Infineon Technologies

Артикул
IKA15N65ET6XKSA2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH 650V 17A TO220-3FP, IGBT Trench Field Stop 650 V 17 A 45 W Through Hole PG-TO220-3-FP
Цена
300 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKA15N65ET6XKSA2.jpg
Other Names
2156-IKA15N65ET6XKSA2,INFINFIKA15N65ET6XKSA2,SP001701336
Test Condition
400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Power - Max
45 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
17 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
57.5 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 11.5A
Switching Energy
230µJ (on), 110µJ (off)
Gate Charge
37 nC
Td (on/off) @ 25°C
30ns/117ns
Base Product Number
IKA15N65
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop™
Package
Tube
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-3-FP
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Reverse Recovery Time (trr)
69 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDP30E60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
Подробнее
Артикул: IAUS260N10S5N019TATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET_(75V 120V(, N-Channel 100 V 260A (Tj) 300W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 320W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRL3716
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB, N-Channel 20 V 180A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF2907ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB, N-Channel 75 V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF8302MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET, N-Channel 30 V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее