г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKD06N60R Infineon Technologies

Артикул
IKD06N60R
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3, IGBT Trench 600 V 12 A 100 W Surface Mount PG-TO252-3
Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKD06N60R.jpg
Test Condition
400V, 6A, 23Ohm, 15V
Power - Max
100 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
IGBT Type
Trench
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 6A
Switching Energy
330µJ
Gate Charge
48 nC
Td (on/off) @ 25°C
12ns/127ns
Other Names
IKD06N60RBTMA1,IKD06N60RINTR,SP000623350,IFEINFIKD06N60R,2156-IKD06N60R,IKD06N60RINCT,IKD06N60RINDKR
Base Product Number
IKD06N
Mounting Type
Surface Mount
Series
TrenchStop®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Reverse Recovery Time (trr)
68 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSO615NGXUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Подробнее
Артикул: IPD100N04S402ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3, N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IRLI520NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP, N-Channel 100 V 8.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: AUIRF7316QTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V - 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IPP60R180C7
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 13A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MO, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: SDT06S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее