г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW25N120T2FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3, IGBT Trench 1200 V 50 A 349 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 202 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW25N120T2FKSA1.jpg
Other Names
INFINFIKW25N120T2FKSA1,IKW25N120T2,IKW25N120T2-ND,2156-IKW25N120T2FKSA1,SP000244960
Test Condition
600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Power - Max
349 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
IGBT Type
Trench
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 25A
Switching Energy
2.9mJ
Gate Charge
120 nC
Td (on/off) @ 25°C
27ns/265ns
Base Product Number
IKW25N120
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Reverse Recovery Time (trr)
195 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC30FDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BC847AE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 45V 100MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: SPB80N03S2-03
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3, N-Channel 30 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BFR193WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH LINEARITY TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: IRFSL3806PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 43A TO262, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее