г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL1004 Infineon Technologies

Артикул
IRL1004
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB, N-Channel 40 V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
434 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL1004.jpg
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5330 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRL1004
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLML2060TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23, N-Channel 60 V 1.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IRGP4086PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 300V 70A 160W TO247AC, IGBT Trench 300 V 70 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG4PF50WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 900V 51A 200W TO247AC, IGBT - 900 V 51 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BAR5002VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 50V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 50V 100 mA 250 mW PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: IRF7815TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO, N-Channel 150 V 5.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FF6MR12KM1PHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее