г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF6727MTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF6727MTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET, N-Channel 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Цена
443 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF6727MTRPBF.jpg
Package / Case
DirectFET™ Isometric MX
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MX
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6190 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF6727MTRPBF-ND,IRF6727MTRPBFTR,2156-IRF6727MTRPBF,IRF6727MTRPBFDKR,INFIRFIRF6727MTRPBF,SP001530240,IRF6727MTRPBFCT
Standard Package
4,800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRF6727
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BUZ30A H3045A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BSC0906NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSC0906 - 12V-300V N-CHANNEL POW,
Подробнее
Артикул: BAT1504WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA 100 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: IRFZ46NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB, N-Channel 55 V 53A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SGP15N120XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 30A 198W TO220-3, IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BCR108SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее