г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW50N60H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 100 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
961 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW50N60H3FKSA1.jpg
Other Names
2156-IKW50N60H3FKSA1,INFINFIKW50N60H3FKSA1,SP000852244,IKW50N60H3,IKW50N60H3-ND
Test Condition
400V, 50A, 7Ohm, 15V
Power - Max
333 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 50A
Switching Energy
2.36mJ
Gate Charge
315 nC
Td (on/off) @ 25°C
23ns/235ns
Base Product Number
IKW50N60
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Reverse Recovery Time (trr)
130 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFR540ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK, N-Channel 100 V 35A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF5305STRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFR120NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK, N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSM35GD120DN2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 50A 280W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 50 A 280 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCR108E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее