г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA075N15N3 Infineon Technologies

Артикул
IPA075N15N3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
596 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPA075N15N3.jpg
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
1
Other Names
2156-IPA075N15N3,INFINFIPA075N15N3
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SI4420DY
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO, N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPD650P06NMATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3, P-Channel 60 V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 179W TO247, IGBT Trench 1200 V 50 A 179 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR503E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFR3806TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPP126N10N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее