г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA086N10N3 G Infineon Technologies

Артикул
IPA086N10N3 G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
OPTLMOS 3 POWER MOSFET,
Цена
98 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
IFEINFIPA086N10N3-G,2156-IPA086N10N3 G
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R180C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 320W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BC858C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 150MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IDB18E120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, 31A, 1200V, Diode Standard 1200 V 31A (DC) Surface Mount 14-TSSOP
Подробнее
Артикул: IRFS4115PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK, N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IKCM10H60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 10A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее