г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA086N10N3 G Infineon Technologies

Артикул
IPA086N10N3 G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
OPTLMOS 3 POWER MOSFET,
Цена
98 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
IFEINFIPA086N10N3-G,2156-IPA086N10N3 G
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7321D2TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO, P-Channel 30 V 4.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFS4115TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK, N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: AUIRFSL4115
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 99A TO262, N-Channel 150 V 99A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: FF6MR12KM1BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее
Артикул: IKW75N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3, IGBT Trench 650 V 90 A 395 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRGP4263DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 90A 325W TO-247, IGBT - 650 V 90 A 325 W Through Hole TO-247AC
Подробнее