г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA086N10N3 G Infineon Technologies

Артикул
IPA086N10N3 G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
OPTLMOS 3 POWER MOSFET,
Цена
98 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
IFEINFIPA086N10N3-G,2156-IPA086N10N3 G
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR7446PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 56A TO252, N-Channel 40 V 56A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: IPD088N06N3GBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3, N-Channel 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IM818MCCXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 16A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 1.2 kV 16 A 24-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Подробнее
Артикул: BSC0904NSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON, N-Channel 30 V 20A (Ta), 78A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: FF400R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 580A 2000W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 580 A 2000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SPD03N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее