г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA50R280CEXKSA2 Infineon Technologies

Артикул
IPA50R280CEXKSA2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220, N-Channel 500 V 7.5A (Tc) 30.4W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Цена
298 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPA50R280CEXKSA2.jpg
Other Names
SP001217218
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
30.4W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
773 pF @ 100 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Base Product Number
IPA50R280
Mounting Type
Through Hole
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-3-FP
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR133E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IMW120R350M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3, N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 625W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 200 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SPW24N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3, N-Channel 650 V 24.3A (Tc) 240W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPD50R520CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 550V 7.1A TO252-3, N-Channel 550 V 7.1A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRFS4115PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK, N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее