г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA50R380CE Infineon Technologies

Артикул
IPA50R380CE
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-FP, N-Channel 500 V 9.9A (Tc) 29.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Цена
238 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPA50R380CE.jpg
Power Dissipation (Max)
29.2W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
584 pF @ 100 V
FET Feature
Super Junction
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Other Names
IPA50R380CEXKSA1,SP000848216
Mounting Type
Through Hole
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP250MPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC, N-Channel 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF2805PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SDB20S30
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 300 V 10A (DC) Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: 2ED300C17STROHSBPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 30A, IGBT Module - 2 Independent 1700 V Through Hole Module
Подробнее
Артикул: IRFP4710PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC, N-Channel 100 V 72A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AUIRF7309QTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее