г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR2908PBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR2908PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK, N-Channel 80 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
347 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR2908PBF.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1890 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLR2908PBF,SP001567410
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
120W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB017N10N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7, N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: IRGP4066D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 140A TO247AD, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BC807-25
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRF7705
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP, P-Channel 30 V 8A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: IRL3102S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK, N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRGS6B60KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 90W D2PAK, IGBT NPT 600 V 13 A 90 W Surface Mount D2PAK
Подробнее