г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB051NE8NG Infineon Technologies

Артикул
IPB051NE8NG
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
262 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPB051NE8NG.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
INFINFIPB051NE8NG,2156-IPB051NE8NG
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON, N-Channel 40 V 40A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRG4BC20KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD50N06S409ATMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31, N-Channel 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее
Артикул: BSC047N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON, N-Channel 80 V 18A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее