г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB200N15N3 Infineon Technologies

Артикул
IPB200N15N3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
205 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPB200N15N3.jpg
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
1,000
Other Names
2156-IPB200N15N3,INFINFIPB200N15N3
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF4104SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IGP20N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее
Артикул: DD175N30KHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 3000V 223A, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 3000 V 223A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IHW20N120R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 310W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: SDT05S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: BSL308CH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 2.3A, 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
Подробнее