г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPC100N04S52R8ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34, N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Цена
234 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPC100N04S52R8ATMA1.jpg
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-34
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IPC100N04S52R8ATMA1-ND,2156-IPC100N04S52R8ATMA1,INFINFIPC100N04S52R8ATMA1,IPC100N04S52R8ATMA1CT,IPC100N04S52R8ATMA1TR,IPC100N04S52R8ATMA1DKR,SP001418102
Standard Package
5,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IPC100
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF250P225
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 69A TO247AC, N-Channel 250 V 69A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPD60R360P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BSC042N03LSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSC042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Подробнее
Артикул: AUIRFP4110
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC, N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSZ088N03MSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Подробнее
Артикул: BSD235CH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V SOT363, Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6-1
Подробнее