г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPD50P04P4L11ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3, P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Цена
239 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD50P04P4L11ATMA1.jpg
Other Names
IPD50P04P4L-11,SP000671156,IPD50P04P4L11,IPD50P04P4L11ATMA1CT,2156-IPD50P04P4L11ATMA1,IPD50P04P4L-11DKR,IPD50P04P4L11ATMA1DKR,IPD50P04P4L-11DKR-ND,IPD50P04P4L-11TR-ND,IPD50P04P4L11ATMA1TR,IPD50P04P4L-11TR,IPD50P04P4L-11CT-ND,INFINFIPD50P04P4L11ATMA1,IPD50
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
58W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 85µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
IPD50P04
Mounting Type
Surface Mount
Series
Automotive, OptiMOS™-P2
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3-313
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDP20C65D2XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE 650V 20A RAPID2 TO220-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 650 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BAR9002ELSE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2, RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSSLP-2-3
Подробнее
Артикул: IGCM06F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRGS4065PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 300V 70A 178W D2PAK, IGBT Trench 300 V 70 A 178 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFB7730PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB, N-Channel 75 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF1404PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB, N-Channel 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее