г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD65R250E6 Infineon Technologies

Артикул
IPD65R250E6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
208 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD65R250E6.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
2,500
Other Names
IFEINFIPD65R250E6,2156-IPD65R250E6
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG7S313UTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT PDP 330V 40A D2PAK, IGBT Trench 330 V 40 A 78 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25N120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: IAUC28N08S5L230ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33, N-Channel 80 V 28A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Подробнее
Артикул: IPAW60R600P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6A TO220, N-Channel 600 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRL1104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB, N-Channel 40 V 104A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IDP20C65D2XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE 650V 20A RAPID2 TO220-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 650 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее