г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD78CN10NG Infineon Technologies

Артикул
IPD78CN10NG
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Цена
36 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD78CN10NG.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IPD78CN10NG,IFEINFIPD78CN10NG
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IHW30N160R2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPI075N15N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3, N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IRF5806TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6, P-Channel 20 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: BSM10GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-1, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IDP30E60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
Подробнее
Артикул: BSC039N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON, N-Channel 60 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее

Ваша заявка принята