г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPI50R140CP Infineon Technologies

Артикул
IPI50R140CP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3, N-Channel 550 V 23A (Tc) 192W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Цена
332 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPI50R140CP.jpg
Supplier Device Package
PG-TO262-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
550 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 930µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2540 pF @ 100 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IPI50R140CP-IT,SP000396822,IFEINFIPI50R140CP
Standard Package
500
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
192W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP4750DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-247, IGBT - 650 V 70 A 273 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPD60R180P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3, N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BSZ520N15NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON, N-Channel 150 V 21A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRFH5301TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN, N-Channel 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Подробнее
Артикул: IRAMX20UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 20A SIP2, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRLTS6342TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP, N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Подробнее