г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP032N06N3GXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
422 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPP032N06N3GXKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 118µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 30 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP000680770,IPP032N06N3 G-ND,IPP032N06N3G,2156-IPP032N06N3GXKSA1,IPP032N06N3 G,INFINFIPP032N06N3GXKSA1
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IPP032
Power Dissipation (Max)
188W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR503E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IDW40G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRLR2705TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK, N-Channel 55 V 28A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFZ44NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK, N-Channel 55 V 49A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRL7833PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB, N-Channel 30 V 150A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFB4229PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB, N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее