г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP032N06N3GXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
422 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPP032N06N3GXKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 118µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 30 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP000680770,IPP032N06N3 G-ND,IPP032N06N3G,2156-IPP032N06N3GXKSA1,IPP032N06N3 G,INFINFIPP032N06N3GXKSA1
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IPP032
Power Dissipation (Max)
188W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRGS4062D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 59A 246W D2PAK, IGBT Trench 600 V 59 A 246 W Surface Mount D?PAK
Подробнее
Артикул: IRF5803D2TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO, P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRL3502S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK, N-Channel 20 V 110A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IDH20G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 41A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 41A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: IHW30N135R5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HOME APPLIANCES 14, IGBT Trench Field Stop 1350 V 60 A 330 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF7341TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее