г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPP037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IPP037N08N3GXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3, N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
548 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPP037N08N3GXKSA1.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.75mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8110 pF @ 40 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IPP037N08N3 G-ND,IPP037N08N3G,2156-IPP037N08N3GXKSA1-448,SP000680776,IPP037N08N3 G
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IPP037
Power Dissipation (Max)
214W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP80N06S2-H5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRF9910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF9328PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO, P-Channel 30 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF6645
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET, N-Channel 100 V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
Подробнее
Артикул: BAW156
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 85 V 140mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRGP4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO247AC, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AC
Подробнее