г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR106E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFR106E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 15V 210mA 5GHz 700mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
84 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR106E6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFR106
Other Names
BFR 106 E6327CT,BFR 106 E6327,BFR 106 E6327-ND,BFR 106 E6327TR-ND,BFR106E6327XT,BFR 106 E6327DKR,BFR106E6327HTSA1CT,BFR 106 E6327DKR-ND,BFR 106 E6327CT-ND,BFR106E6327HTSA1TR,SP000011044,BFR106E6327HTSA1DKR,BFR106E6327
Power - Max
700mW
Gain
8.5dB ~ 13dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
15V
Current - Collector (Ic) (Max)
210mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition
5GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FP25R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 40A 155W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 40 A 155 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BAS7002LE6327XTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA TSLP-2, Diode Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount PG-TSLP-2-1
Подробнее
Артикул: SPD50N03S2L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: FF600R12ME4CBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 1060A 4050W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 1060 A 4050 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFU5305
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: AIKW30N60CTXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC DISCRETE 600V TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее