г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPT004N03LATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF, N-Channel 30 V 300A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Цена
1 054 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPT004N03LATMA1.jpg
Package / Case
8-PowerSFN
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-1
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.4mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
163 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
24000 pF @ 15 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IPT004N03LATMA1TR,SP001100156,IPT004N03LATMA1DKR,IPT004N03LATMA1CT
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IPT004
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSL316CH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 1.4A, 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
Подробнее
Артикул: IPI80CN10N G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IKD15N60RC2ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKD15N60RC2ATMA1, IGBT Trench Field Stop 600 V 28 A 115.4 W Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF9540NLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 23A TO262, P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IPP110N20N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3, N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IM818MCCXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 16A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 1.2 kV 16 A 24-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Подробнее