г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPT007N06NATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF, N-Channel 60 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Цена
1 283 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPT007N06NATMA1.jpg
Other Names
IPT007N06N,SP001100158,Q9491993,IPT007N06NATMA1TR,IPT007N06NATMA1DKR,IPT007N06NATMA1CTINACTIVE,-IPT007N06NATMA1,IPT007N06NATMA1CT,IPT007N06NATMA1CT-NDL
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.75mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16000 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
IPT007
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerSFN
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF1018EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB, N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGP4750DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-247, IGBT - 650 V 70 A 273 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSC010NE2LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON, N-Channel 25 V 39A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IQE006NE2LM5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TSON-8-4
Подробнее
Артикул: IRFR2405PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK, N-Channel 55 V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IKW30N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 187W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее