г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPT007N06NATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF, N-Channel 60 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Цена
1 283 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPT007N06NATMA1.jpg
Other Names
IPT007N06N,SP001100158,Q9491993,IPT007N06NATMA1TR,IPT007N06NATMA1DKR,IPT007N06NATMA1CTINACTIVE,-IPT007N06NATMA1,IPT007N06NATMA1CT,IPT007N06NATMA1CT-NDL
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.75mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16000 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
IPT007
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerSFN
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC080N03MSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSC080N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Подробнее
Артикул: IRF7807
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO, N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4PH50S-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 57A TO247AD, IGBT - 1200 V 57 A 200 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRAM136-3063B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC HYBRID PWR 30A 600V RES SIP3, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IPP100N06S2L05AKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3, N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRF9395MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 14A 2.1W Surface Mount DIRECTFET™ MC
Подробнее