г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPTG011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPTG011N08NM5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8, N-Channel 80 V 42A (Ta), 408A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Цена
1 597 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
OptiMOS™ 5
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
17000 pF @ 40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Ta), 408A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Base Product Number
IPTG011N
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerSMD, Gull Wing
Supplier Device Package
PG-HSOG-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP005430759,448-IPTG011N08NM5ATMA1TR,448-IPTG011N08NM5ATMA1DKR,448-IPTG011N08NM5ATMA1CT
Standard Package
1,800
FET Feature
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R099C6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3, N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BFR182E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFR182 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: IRLL3303
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223, N-Channel 30 V 4.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: BCR133SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IHW30N160R2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFB7440PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 143W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее