г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R041C6 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R041C6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Цена
1 347 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R041C6.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
INFINFIPW60R041C6,2156-IPW60R041C6
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP150N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC, N-Channel 100 V 42A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPW60R099CPFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3, N-Channel 650 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7509TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8, Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IRF7328TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FZ2400R17HP4B2BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 4800A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 4800 A 13000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRG4BAC50W-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W SUPER 220, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Подробнее

Ваша заявка принята