г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW60R070P6 Infineon Technologies

Артикул
IPW60R070P6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,, N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Цена
698 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R070P6.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 20.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.72mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
391W (Tc)
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Series
CoolMOS™
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
ROCINFIPW60R070P6,2156-IPW60R070P6
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFB4610PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB, N-Channel 100 V 73A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAR64-03W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAR64 - PIN DIODE, RF Diode
Подробнее
Артикул: IPW65R280E6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 625W, IGBT Module - Half Bridge 1200 V 105 A 625 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFP3415PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A TO247AC, N-Channel 150 V 43A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее