IPW60R160P6 Infineon Technologies
Артикул
IPW60R160P6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Цена
343 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPW60R160P6.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 750µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 100 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Power Dissipation (Max)
176W (Tc)
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Series
CoolMOS™
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-IPW60R160P6,ROCINFIPW60R160P6
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут