г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PC50U Infineon Technologies

Артикул
IRG4PC50U
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Цена
858 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PC50U.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
220 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 27A
Power - Max
200 W
Switching Energy
120µJ (on), 540µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
180 nC
Td (on/off) @ 25°C
32ns/170ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001532604,*IRG4PC50U
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Test Condition
480V, 27A, 5Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT6804E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRG4PC50K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 52A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 52 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFSL4615PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A TO262, N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BC817-16W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF7452PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO, N-Channel 100 V 4.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPA60R360P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO220, N-Channel 600 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее