г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW65R280E6 Infineon Technologies

Артикул
IPW65R280E6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET,
Цена
248 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-IPW65R280E6,IFEINFIPW65R280E6
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC30FDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRL3103D1S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK, N-Channel 30 V 64A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF2804PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRL3705Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF150R12RT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 150A 790W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 150 A 790 W Surface Mount Module
Подробнее
Артикул: BUZ30AHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее