г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW65R280E6 Infineon Technologies

Артикул
IPW65R280E6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET,
Цена
248 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-IPW65R280E6,IFEINFIPW65R280E6
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFS4010TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPW60R060P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3, N-Channel 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF4104SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4BC30S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 34A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 34 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPB17N25S3100ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3, N-Channel 250 V 17A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IGW60T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 100A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 100 A 375 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее