г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPW65R280E6 Infineon Technologies

Артикул
IPW65R280E6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET,
Цена
248 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-IPW65R280E6,IFEINFIPW65R280E6
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MMBTA42LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR NPN 300V 0.5A, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRGP20B120UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 40 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BSC037N08NS5TATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON, N-Channel 80 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRL2203NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB, N-Channel 30 V 116A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PH50SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 57A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 57 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IKQ120N60TXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 160A TO247-3-46, IGBT Trench Field Stop 600 V 160 A 833 W Through Hole PG-TO247-3-46
Подробнее