г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF2807ZSTRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF2807ZSTRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK, N-Channel 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
382 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF2807ZSTRLPBF.jpg
Other Names
SP001564328,IRF2807ZSTRLPBF-ND,IRF2807ZSTRLPBFCT,IRF2807ZSTRLPBFTR,IRF2807ZSTRLPBFDKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
170W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3270 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRF2807
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFH4255DTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 105A 31W, 38W Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IHW30N120R2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 60A 390W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 60 A 390 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFH8318TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN, N-Channel 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRLI2910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP, N-Channel 100 V 31A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRF7477
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, N-Channel 30 V 14A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее