г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF2907ZS-7PPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF2907ZS-7PPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK, N-Channel 75 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Цена
1 071 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF2907ZS-7PPBF.jpg
Supplier Device Package
D2PAK (7-Lead)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7580 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF2907ZS7PPBF,SP001559526
Standard Package
50
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7389PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSC014N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7, N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-17
Подробнее
Артикул: IPD50P04P4L11ATMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3, P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IRAMS10UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: PLUG N DRIVE INTELLIGENT PWR MOD, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRF7756
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: IDH10G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 24A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее