г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF300P226 Infineon Technologies

Артикул
IRF300P226
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC, N-Channel 300 V 100A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
1 693 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF300P226.jpg
Other Names
SP001582442
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
556W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10030 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRF300
Mounting Type
Through Hole
Series
StrongIRFET™
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
25
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7103QTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSC030N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON, N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: SDT12S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: SPA11N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP, N-Channel 800 V 11A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IRF6215SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK, P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BAT1704E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее