г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF4104PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF4104PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
358 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF4104PBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRF4104PBF,2156-IRF4104PBFINF,SP001554010,INFINFIRF4104PBF
Standard Package
100
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRF4104
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGS6B60KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 90W D2PAK, IGBT NPT 600 V 13 A 90 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSC120N03LSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON, N-Channel 30 V 12A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: BSC057N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON, N-Channel 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: BSS670S2LH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, N-Channel 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF5806TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6, P-Channel 20 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее