г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF4104PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF4104PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
358 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF4104PBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRF4104PBF,2156-IRF4104PBFINF,SP001554010,INFINFIRF4104PBF
Standard Package
100
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRF4104
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF900R12IP4BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 900A 5100W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 900 A 5100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SKW07N120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 16.5A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF6644TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET, N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее
Артикул: BFN27E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFN27 - PNP SILICON HIGH-VOLTAGE, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BSC110N15NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON, N-Channel 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRFZ46Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее